Cerita Natasya, Alumnus Itera yang Raih Juara Dunia Kompetisi Riset Material
Kamis, 29 Januari 2026 - 20:20 WIB
loading...
A
A
A
Ia bersaing dengan peserta dari berbagai fakultas hingga terpilih sebagai wakil universitas di tingkat nasional Malaysia. Seleksi nasional tersebut digelar oleh Institute of Materials Malaysia (IMM) bekerja sama dengan Curtin University pada September 2025 dan diikuti oleh 13 peserta dari berbagai perguruan tinggi di Malaysia. Dari tahap ini, Natasya kembali lolos dan melaju ke tingkat internasional.
Babak internasional YPWLC 2025 dilaksanakan secara daring oleh IOM3 pada 27 November 2025 dengan empat finalis dari Malaysia, Inggris, Tiongkok, dan Hong Kong. Meski jumlah finalis terbatas, kompetisi ini menuntut kesiapan riset yang matang serta kemampuan komunikasi yang kuat karena presentasi disampaikan kepada audiens dengan latar belakang yang beragam.
Dalam kompetisi tersebut, Natasya memaparkan riset doktoralnya mengenai optimisasi material aluminium nitrida untuk aplikasi transistor berperforma tinggi.
Penelitiannya berfokus pada peningkatan kualitas lapisan aluminium nitrida agar dapat berfungsi optimal sebagai lapisan penyangga pada transistor berbasis galium nitrida, yang banyak digunakan pada perangkat elektronik berdaya dan frekuensi tinggi.
Keunggulan riset Natasya terletak pada pendekatan skala industri. Selama ini, sebagian besar penelitian serupa masih dilakukan pada skala laboratorium menggunakan wafer berukuran 2 hingga 4 inci.
“Dalam penelitian ini, saya menggunakan wafer 8 inci dengan mesin sputtering berbasis industri. Dengan pendekatan tersebut, produksi aluminium nitrida dapat meningkat sekitar 25 hingga 40 persen dalam satu kali proses,” jelas Natasya.
Pendekatan ini dinilai lebih efisien dan berpotensi menekan biaya produksi, sehingga riset yang dilakukan tidak hanya memiliki nilai akademik, tetapi juga relevan dengan kebutuhan industri semikonduktor. Menurut Natasya, pesatnya pengembangan transistor berbasis galium nitrida yang efisien dan mampu bekerja pada kondisi ekstrem menjadi latar belakang utama penelitiannya. Namun, material tersebut tidak dapat langsung ditumbuhkan di atas wafer silikon yang umum digunakan di industri, sehingga memerlukan lapisan penyangga berupa aluminium nitrida.
Babak internasional YPWLC 2025 dilaksanakan secara daring oleh IOM3 pada 27 November 2025 dengan empat finalis dari Malaysia, Inggris, Tiongkok, dan Hong Kong. Meski jumlah finalis terbatas, kompetisi ini menuntut kesiapan riset yang matang serta kemampuan komunikasi yang kuat karena presentasi disampaikan kepada audiens dengan latar belakang yang beragam.
Dalam kompetisi tersebut, Natasya memaparkan riset doktoralnya mengenai optimisasi material aluminium nitrida untuk aplikasi transistor berperforma tinggi.
Penelitiannya berfokus pada peningkatan kualitas lapisan aluminium nitrida agar dapat berfungsi optimal sebagai lapisan penyangga pada transistor berbasis galium nitrida, yang banyak digunakan pada perangkat elektronik berdaya dan frekuensi tinggi.
Keunggulan riset Natasya terletak pada pendekatan skala industri. Selama ini, sebagian besar penelitian serupa masih dilakukan pada skala laboratorium menggunakan wafer berukuran 2 hingga 4 inci.
“Dalam penelitian ini, saya menggunakan wafer 8 inci dengan mesin sputtering berbasis industri. Dengan pendekatan tersebut, produksi aluminium nitrida dapat meningkat sekitar 25 hingga 40 persen dalam satu kali proses,” jelas Natasya.
Pendekatan ini dinilai lebih efisien dan berpotensi menekan biaya produksi, sehingga riset yang dilakukan tidak hanya memiliki nilai akademik, tetapi juga relevan dengan kebutuhan industri semikonduktor. Menurut Natasya, pesatnya pengembangan transistor berbasis galium nitrida yang efisien dan mampu bekerja pada kondisi ekstrem menjadi latar belakang utama penelitiannya. Namun, material tersebut tidak dapat langsung ditumbuhkan di atas wafer silikon yang umum digunakan di industri, sehingga memerlukan lapisan penyangga berupa aluminium nitrida.
Lihat Juga :
